RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
38
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
31
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3439
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link