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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
38
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
21
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2801
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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