RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
38
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
31
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3084
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link