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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3446
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
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