RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2468
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link