RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno -58% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
24
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2442
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link