RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno -46% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
26
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2978
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link