RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24.4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
15.5
24.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
4300
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link