RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
38
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
22
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3083
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link