RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
42
Velocità di lettura, GB/s
15.5
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2715
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Jinyu 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link