RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno -46% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
26
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2013
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link