RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2672
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link