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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2958
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
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