RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
38
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
30
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3796
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link