RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3070
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link