RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno -12% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
34
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3075
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link