RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
46
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2660
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link