RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2186
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link