RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2186
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link