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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
12.1
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2034
2817
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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