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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
12.1
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2034
3739
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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