RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
11.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
7.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
44
Velocità di lettura, GB/s
12.1
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2034
1927
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link