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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3628
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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