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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2731
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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