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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
11.9
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
4322
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lenovo 16GB
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