RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
45
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.6
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
22
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3879
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link