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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
11.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3545
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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