RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
INTENSO 5641160 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2613
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link