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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
11.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
11.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
1931
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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