RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
11.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2489
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link