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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
52
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
52
Velocità di lettura, GB/s
11.9
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2260
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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