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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
45
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
44
Velocità di lettura, GB/s
11.9
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
1977
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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