RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
11.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2583
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link