RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3935
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link