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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
11.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2434
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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