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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
46
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
37
Velocità di lettura, GB/s
12.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2824
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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