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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2533
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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