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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
48
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
48
Velocità di lettura, GB/s
12.2
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2466
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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