RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
80
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
80
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
1882
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link