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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
47
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
no data
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2918
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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