RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
47
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
28
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3444
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link