RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2847
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link