RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
84
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
84
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
1574
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link