RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2918
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link