RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
47
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
36
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2971
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link