RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
24
Velocità di lettura, GB/s
11.8
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3482
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link