RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
47
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
21
Velocità di lettura, GB/s
11.8
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3216
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link