RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2708
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link