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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
47
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
38
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2451
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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