RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1933
2987
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link