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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
65
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
65
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2041
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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